2.主讲教师情况(2


22-1

基本

信息

姓 名

高尚鹏

性别

出生年月

19783

最终学历

博士研究生

职 称

教授

电 话

65643259

学  位

博士

职 务

传 真

65643259

所在院系

材料科学系

E-mail

gaosp@fudan.edu.cn

通信地址(邮编)

邯郸路220号材料一楼212室(200433



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教学

情况

近五年来讲授的主要课程(含课程名称、课程类别、周学时;届数及学生总人数)

(不超过五门);承担的实践性教学(含实验、实习、课程设计、毕业论文、毕业设计的年限、学生总人数);主持的教学研究课题(含课程名称、来源、年限、本人所起的作用)(不超过五项);作为第一署名人在国内外主要刊物上发表的教学相关论文(含题目刊物名称与级别、时间)(不超过十项);获得的教学表彰/奖励(含奖项名称、授予单位、署名次序、时间)(不超过五项)。


1. 半导体材料、专业选修课、2学时;已授7届,学生总人数172人。

2. 材料分析、专业必修课、3学时(本人讲授1学时);已授2届,学生总人数130人。

3. 计算材料学、专业选修课、2学时;已授3届,学生总人数18人。




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学术

研究

近五年来承担的学术研究课题(含课题名称、课题类别、来源、年限、本人所起作用)(不超过五项);在国内外主要刊物上发表的学术论文(含题目、刊物名称与级别、时间、署名次序)(不超过十项);获得的学术研究表彰/奖励(含奖项名称、授予单位、时间、署名次序)(不超过五项)。


承担的学术研究课题

 1.第一性原理计算新方法、上海市科委科研计划项目、2014-2016、负责人

 2.三元化合物可见光响应光催化微观机制的多体微扰理论研究、上海市教委科研创新项目、2015-2017、负责人

 3.基于集成计算的材料设计基础科学问题、科技部973项目、2011-2015、子课题负责人

 4.基于多体微扰理论和密度泛函理论的电子能量损失谱近阈精细结构第一原理计算、国家自然科学基金委青年基金、2009-2011、负责人

 5.金属硫化物电子激发态的多体微扰理论计算、教育部博士点新教师基金、2010-2012、负责人

发表的学术论文

  1.  W. Z. Yu, J. A. Yan*, S. P. Gao*. Band gap characters and ferromagnetic/antiferromagnetic coupling in group-IV monolayers tuned by chemical species and hydrogen adsorption configurations. Nanoscale Research Letters 10: 351 (2015)(共通讯作者)

  2.  J. A. Yan*, S. P. Gao*, R. Stein, G. Coard. Tuning the electronic structure of silicene and germanene by biaxial strain and electric field. Physical Review B 91 245403 (2015)(共通讯作者)

  3.  W. Yu, S. P. Gao*. Effect of configuration and biaxial strain to electronic structure of half-fluorinated graphene. Surface Science 635 78–84 (2015)(通讯作者)

  4. S. P. Gao*. Band gaps and dielectric functions of cubic and hexagonal diamond polytypes calculated by many-body perturbation theory.  Physica Status Solidi B. 252 (1) 235–242 (2015)(第一作者、通讯作者)

  5.  T. Zhu, S. P. Gao*. The Stability, electronic structure, and optical property of TiO2 polymorphs. The Journal of Physical Chemistry C 118 (21) 11385–11396 (2014)(通讯作者)

  6. S. P. Gao*, G. Cai, Y. Xu. Band structures for Ge3N4 polymorphs studied by DFT-LDA and GWA. Computational Materials Science. 67 292-295 (2013).(第一作者、通讯作者)

  7. S. P. Gao*. Crystal structures and band gap characters of h-BN polytypes predicted by the dispersion corrected DFT and GW method. Solid State Communications. 152 1817-1820 (2012)(第一作者、通讯作者)

  8.  Y. Xu, S. P. Gao*. Band gap of C3N4 in the GW approximation. Int. J. Hydrogen Energy 37 11072-11080 (2012).(通讯作者)

  9. S. P. Gao*. Cubic, wurtzite, and 4H-BN band structures calculated using GW methods and maximally localized Wannier functions interpolation. Comput. Mater. Sci. 61 266-269 (2012)(通讯作者)

  10.  J. Lu, S. P. Gao*, J. Yuan. ELNES for boron, carbon and nitrogen K-edges with different chemical environments in layered materials studied by density functional theory. Ultramicroscopy 112 61-68 (2012).(通讯作者)



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